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                常用『电子封装基板的分类及特点

                常用电子封装基板的分类及特点

                  第一代半导体以硅∮ (Si)、锗 (Ge) 材料为代表,主要应用在数据运算领域,奠定了微电子产≡业基础。第二代半导体以〓砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 为代表,主要应用于通信领域,用于制作高性能微波、毫米波及发←光器件,奠定了信息产业基础。随着技术发展和应用需要的不断延伸,二者的局限性逐渐体现出来,难以⊙满足高频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境╱以及轻便小型化等使用需求。  以碳化硅 …

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                2021年中国台湾〒IC设计产值将首度突破兆@ 元

                2021年中国台湾IC设计产值将首度突破兆元

                  工研院业科技国际策略发展所于4日指出,中国台湾IC产业2021年产值将首度突╱破4兆元,达新台币4.1兆元,较2020全年成长25.9%,大幅高于全球市场平均。同时,IC设计业2021年产值将首度突破∏兆元,达1.20兆元,成长40.7%    工研院◆表示,2020年全球受到新冠肺炎疫情影响,全球经济从实体经济转换为在线经济与零接↘触活动,无论是在∏线购物、在线咨询、在线会议、在线课程等,延续到202…

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                Underfill(底部↓填充胶)的功能与应▃用

                Underfill(底部填充胶)的功能与应用

                  Underfill(底部填充胶)的功能与应用  1:为什么要用底填胶?  解决PCBA上的一个关键问々题,CSP/BGA存在的隐患-应力集中;  1) 热应力  因为芯片和基材的线性膨胀系数(CTE)不一样,在冷热循ξ 环测试时,高CTE和低CTE的材料之膨胀系数之差会导至焊球受到相互的约☉束,使其不能完全自由胀缩,而发生形变,终导致焊◇点断裂;  2)机械应力  结合〒应用端的使用情况,一些如PCB板材…

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                IGBT模块⌒结构及封装失效原因

                IGBT模块结构及封装失效原因

                  1、IGBT模块结构  IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成,芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中,单个IGBT还会并有续流二极管,接着∩在芯片上方灌以大量的硅凝胶,最后用塑料壳封装,IGBT单元堆叠结构如图1-1所示。  从上之下它依次◢由芯片,DBC(Directed Bonding Copper)以及金属散★热板(通常选用铜)三部分组成。DBC由三层材料∞构成,上下两…

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                封装基→板和三级封装

                封装基板和三级封装

                  封装基板和封装分级  从硅圆片♀制作开始,微电子封装可分为0、1、2、3四个等级,涉及上述六个层次,封装基板(PKG基板或Substrate)技Ψ术现涉及1、2、3三个等级和2~5的四个层次。  封装基板主要研究↙前3个级别的半导体封装(1、2、3级封装),0级封装暂与封装基板无关【,因此封装基板一般是指用于1级2级封装的基板材料,母板(或载板)、刚挠结合板等用于「三级封装。  封装基板和三级封装  零…

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                芯片底部填充胶的◣工艺要求及缺陷分析

                芯片底部填充胶的工艺要求及缺陷分析

                  芯片底部填充胶主要用于CSP/BGA 等倒装芯片的补强,提高电子ω产品的机械性能和可靠性。根据芯片组装的要求,讨论了底部填充胶在使用中的工艺要求以及缺陷分析方∞法。  倒装焊连接技术是目前半导体封装的主流技术。倒装芯片连接引线短,焊点直接与印刷线路板或其它基板焊接,引线电感◆小,信号间窜扰小,信号传输延时短,电性能好,是互连※中延时*短、寄生效应*小的一种互连方法。这些优点使得倒装芯片在便携式设备…

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                8英寸※碳化硅晶圆 第三∑ 代半导体工艺

                8英寸碳化硅晶圆 第三代半导体工艺

                  第三代半导体也称为宽禁带半导体,不同于传统的半导体主要赖硅晶圆,它在材料层面上实现了更新。而▼与第一代、第二代半导体并非替代关系,而是形成互补,三者特性各异、用途不同。  具体来看,第一代半导体〗材料以硅(Si)和锗(Ge)为主,是CPU处理器等集成电路主要运用的材料;第二代半导体包括砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等,目前手机所使用的关键通信芯片都采用这类材料】制作。  第三代半导体材料主要是…

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                IC半导体封ぷ装工艺介绍

                IC半导体封装工艺介绍

                  封装的工序比较复杂,大概有十几道工序,有磨片、划片......磨片就是让圆片背面减薄,适◆应封装需要;划片就是通过金属刀片,让晶圆能够一粒一粒地分割出来;装片就是通过导电胶◤,让芯片跟引线框固∴定起来;键合就是通过芯片的pad与框架之间实现▆电路导通;塑封就是把产品包■装起来。希望您在阅读本文后有所收获,欢迎在评论区发表见解和想法。ELT封装除泡机  IC Package (IC的封装〗形式)Packag…

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                晶圆代工再创纪录首次超☆过1000亿美△元大关

                晶圆代工再创纪录首次超过1000亿美元大关

                  在IC领域,存在着三种经营模◎式,IDM、Fabless和Foundry模式,曾经最具市场号召力和受关注程度的IDM模式,随着半导体芯片垂直化,集约化的加¤剧,成本和运营压力额不断攀升,全球范围内几乎很少坚@持IDM道路的经营模式了。  反而是,专注于单项领域的设计,或代加工々模式,在近年来得到了飞速发展,其中Foundry模式,因其更低创新压力,和稳定█可靠的订单加持,更是成为了众多IC大厂转型◣的重要…

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