Underfill(底部填充胶)的功能与应用 1:为什么要用底填胶? 解决PCBA上的一个关键问题,CSP/BGA存在的隐患-应力集中; 1) 热应力 因为芯片和基材的线性膨胀系数(CTE)不一样,在冷热↓循环测试时,高CTE和低CTE的材料之膨胀系数之差会导至焊球受到相互的约束,使其不能完全自由胀〖缩,而发生形变,终导致焊点断裂; 2)机械应力 结合应用端的使用情况,一些如PCB板材…
查看详情1、IGBT模块结构 IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成,芯片之间通过铝导☆线实现电气连接。标准的IGBT封装中,单个IGBT还会并有续流▼二极管,接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶,最后用塑料壳封装,IGBT单元堆〗叠结构如图1-1所示。 从上之下它依次由芯片,DBC(Directed Bonding Copper)以及金属散热板(通常选用铜)三部分组成。DBC由三层材料构成,上下两…
查看详情芯片底部填充胶主要用于CSP/BGA 等倒装芯片的补强,提高电子产品的机械性能和可靠性。根据芯片组装的要求,讨论了底部填充胶在使用中的工艺要求以及缺陷分析方法。 倒装焊连接技术是目前半导体封装的主流技术。倒装芯片连接引线短,焊点直接与印刷线路板或其它基板焊接,引线电感小,信号间窜扰小,信号传输延时短,电性能好,是互连◥中延时*短、寄生效应*小的一种互连方法。这些优点使得倒装芯片在便携式设备…
查看详情第三代半导体也称为宽禁带半导体,不同于传统的半导体主要赖硅晶圆,它在材料层面上实现了更新。而与第一代、第二代半导体并非替代关系,而是形成互补,三者特性各异、用途不同。 具体来看,第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为主,是CPU处理器等集成电路主要运用的材料;第二代半导体包括砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等,目前手机所使用的关键通信芯片都采用这类材料制作。 第三代半导体材料主要是…
查看详情封装的工序比较复杂,大概有十几道工序,有磨片、划片......磨片就是让圆★片背面减薄,适应封装需要;划片就是通过金属刀片,让晶圆能够一粒一粒地分割出来;装片就是通〓过导电胶,让芯片跟引线框固定起来;键合就是通过芯片的pad与框架之间实现电路导通;塑封就是把产品包装起来。希望您在阅读本∏文后有所收获,欢迎在评论区发表见解和想法。ELT封装除泡机 IC Package (IC的封装形式)Packag…
查看详情在IC领域,存在着三种经营模式,IDM、Fabless和Foundry模式,曾经最具市场号召力和受关注程度的IDM模式,随着半导体芯片垂直化,集约化的加剧,成本和运营压力额不断攀升,全球范围内几乎很少坚持IDM道路的经卐营模式了。 反而是,专注于单项领域的设计,或代加工模式,在近年来※得到了飞速发展,其中Foundry模式,因其更低创新压力,和稳定可靠的订单加持,更是成为了众多▓IC大卐厂转型的重要…
查看详情在全球缺芯的大背景下,半导体成为当前最热门的版块之一,硅片价格不断攀升、供应缺口持▅续增大,再生晶圆乘风而起,势不可挡,引起行业高度重视。9月17日下午3点28分,安徽富乐德长江半导体12英寸再生晶∞圆项目量产仪式在铜陵市义安经开区隆重举行。铜陵市人民政府市长孔涛,市委常委、常务副市长何田,市人民政府秘书长古劲松,中共义安区委书记汪发进,义安区区长姚贵平、国际半导体产业协会中国区总裁居龙,中国电子…
查看详情底部填充胶空洞产生的原因 ◥流动型空洞 流动型空洞(其中还存在着几种类型),都是在underfill底部填充胶流经芯片和封装下方时产生,两种或更多种类的流¤动波阵面交会时包裹的气泡会形成流动型空洞。 流动型空洞产生的原因 ①与底部填充胶施胶图案有关。在一块BGA板或芯片的多个侧面进行施胶可以提高underfill底填胶流动的速度,但是这也增大了产生空洞的几率。 ②温度会影响到底部填充胶…
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