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                Underfill底填胶的3种制程及除泡工艺

                [发布日期:2022-07-07 15:45:11] 点击:


                 

                  Underfill底填胶的3种制程

                  Underfill的工艺普遍◥采用的是毛细管底部填充(Capillary Underfill,CUF)制程[6],通俗的说就是在芯片内部导电球(Bump)和基板接触完成后,Underfill是用虹》吸的方式,从管芯的一侧流动到另一侧,一直到铺满整个管芯的底部。这个技术相对比较成熟,也应用了很多年,但是也有它本身♂的一些缺点:

                  随着管芯尺寸的逐步增大,铺满底部的时间增长,对产品效率『有影响,而这个流动性,对不同的芯片都有不同的要求,定制化是市场的一个痛点。

                  Underfill的空〓洞问题,行业叫Void,始终是良率的一个←隐患。一旦有Void产生,返工过程特别麻烦。市场上卖的比较好的Underfill,Void都做的╲很优异,国内的产品在空洞上有很大挑战。

                目前市场上对于这个问题比较好的解ξ 决方案是友硕ELT真空高压除泡机,采用真空+高压+高温等物理工艺去去除气泡,大※幅提高产品良率。

                脱泡机

                  Underfill客户第三大痛点,是爬胶问↘题。胶水会沿着管芯表面』往上爬,而刮胶又Ψ 没有好的办法。

                  为了更好的解决这些问题,有了▃非导电胶(Non-Conductive Paste,NCP)和非⊙导电膜(Non-ConductiveFilm,NCF)的新工艺。

                  非导电胶NCP也是胶水的解决方案∞,先将Underfill点胶到基板上之后,用机械压迫式熔接(ThermoCompression Bonding,TC Bonding)工艺把胶水固化。从工艺上,多了一个TC Bonding,但是从良率而言,可以克服目前的3大痛点,生产效︽率大大提高。

                  和材料的配合方面,TC Bonding的设备之前是韩国和日本为主,2019年后,国内也※有相应的设备可以采购到,整个产业链就比较完▅整了。

                  非导电胶NCP虽然解决了市场上的一大难题,但是也有自己的缺陷,就是点胶的厚度和精度。在普通的应用中,是足够使用,但是在2.5D/3D堆叠封装中,需要更薄的材料和更精准的芯片导电球定位,就又有非导电膜NCF工艺应运而生。

                  非导电膜NCF目前市场上德国汉高的技术比较成熟。和非导电胶NCP唯一的区别,是用Film的形式来替代■胶水,可以做的特别薄。但是从工艺而言,把这个薄膜在TC Bonding热压要有特殊的设备,这个设备国内还不能制造。

                  非导电膜NCF现在主要的缺点,就是整个TC Bonding过程比较长,而且由于要采用真♂空工艺,设备造价特别高,每次加工的数量也不多。如果设备和︽产率方面有新的技术突破,大规模采用在对厚度要求严格的应用就▼很理想。


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