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                台积电先进封装〓技术科普

                [发布日期:2021-07-30 13:22:15] 点击:


                 

                  最近,关于台积电的先进封装有很多讨论∞,让我们透过他们的财报和*新的技术峰会来对这家卐晶圆代工巨头的封装进行深入的介绍。

                  资料显示,在张忠谋于2011年重返↑公司之后,就下定决定要做先进封装。而1994年加入公⌒司的余振华就是台积电这个“秘密”项目的带头人。CoWoS技术则是台积电在这个领域的小∑ 试牛刀。他们这个技术首先在Xilinx的FPGA上做了实⊙现,而基于此衍生的InFO封装则在苹果处∞理器上大放异彩,并从此让台积电的①封装名扬天下。

                除泡机

                  台积电先进封装技术科普

                  据Semiwiki报道,去年,台积♀电将他们的 2.5D 和 3D 封装产品合并为一个单一的、全Ψ面的品牌3DFabric。

                  其中,2.5D封装技术CoWoS可分为 CoWoS 和 InFO 系列。首先看CoWoS技术,可以分为以下几种:

                  1、CoWoS-S

                  用于die到die再分布层 (redistribution layer:RDL) 连接的带有硅中介【层的“传统”基板上晶圆上芯片(chip-on-wafer-on-substrate with silicon interposer )正在庆祝其大批量制¤造的第 10 年。

                  2、CoWoS-R

                  CoWoS-R 选项用有机基板中介层取代了跨越 2.5D die放置区域范围的(昂贵的)硅中介层。CoWoS-R 的折衷是 RDL 互连的线☆间距较小——例如,与 CoWoS-S 的亚微米间距相比,有ω机上的间距为 4 微米。

                  3、CoWoS-L

                  在硅 –S 和有机 –R 中介层选项之间,TSMC CoWoS 系ω 列包括一个更新的产品,具有用于相邻die边缘之间(超短距离)互连的“本地”硅桥。这些硅片嵌入有机基板中,提供高密度 USR 连接(具有紧密的 L/S 间距)以及有机基板上(厚)导线和平面的互连和功率分配功能。

                  请注意,CoWoS 被指定为“chip last”组装流程,芯片连接」到制造的中介层。

                  再看2.5D封装技术InFO。

                  据介绍,InFO 在载体上使用(单个█或多个)裸片,随后将这些裸片嵌入molding compound的重构晶圆中△。随后在晶圆上制造 RDL 互连和介电层,这是“chip first”的工艺流程←。单die InFO 提供了高凸点数选项,RDL 线从芯片区域◣向外延伸——即“扇出”拓扑。如下图所示,多die InFO 技术¤选项包括:

                  InFO-PoP:“package-on-package”InFO-oS:“InFO assembly-on-substrate”

                  台积电的3D封装技术则是SoIC。

                  据台积电介绍,公司的3D 封装与 SoIC 平台相关联,该平台使用堆叠芯片和直接※焊盘键合,面对面或面对背方◥向 -表示为 SoIC 晶圆上芯片(chip on wafer)。硅通孔 (TSV) 通过 3D 堆栈中的die提供连接。

                  SoIC 开发路线图如下▼所示——例如,N7-on-N7 芯片配置将在 21 年第四季〗度获得认证。

                  台积电先进封装气泡问题

                  无损是】什么先进封装工艺都会在灌封,点胶,贴合等工艺过程中产生一定的气泡,从◎而造成大量不良和损耗,而选择ELT台湾⊙先进真空压力除泡机是包括台积电在内的许多同业的解决方案。

                友硕ELT真空压力除泡烤箱是全球先进除泡〗科技,采用真空+压力+高温物理除泡工艺,无尘洁净真空环境,含氧量自动控制,快速升温,快速降温,挥发气体◣过滤更环保,10寸工业型电脑,烘烤废气内循环收集ㄨ,气冷式≡安全设计,高洁净选配,真空/压力/温度时间弹性式设定。

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