晶圆级芯片封装面临的挑战
[发布日期:2020-12-22 10:33:07] 点击:
晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) 因其成本性能比和无ω 衬底封装而具吸引力,但却受』到芯片尺寸的限制。另一种替代方案,扇出︾型晶圆级封装 (FOWLP)
技术正在研发和应用,因为它允许通过“扇出”与外部衬垫互连来增加 I/O 密度。最终使其具有更小的外形尺寸和更低的功耗。异构集成的半△导体封装技术,如系统级封装
(SIP) 和堆叠№封装 (PoP) 基础结构,由于日益复杂的集成而面临着重大挑战。
晶【圆级封装挑战
对于许多此类技术来说,薄化↑器件的衬底处理是制造流程中的一个主要卐挑战。硅晶片薄化至 <50 微米 (μm),或使用◥一个
RDL-first流程创建的重分布层 (RDL) 需非常小心且制造成本很昂贵。处理过程要求使用通过临时键合①和解键合 (TBDB)
技术处理支撑衬底,以方便构建复杂的封装基础机】构。
使用热塑性聚合物制造的临时键合材料通常○用于 TB/DB
工艺。当与载体衬底一起使用时,它们能够〗提供热机械稳定性,并使薄¤型器件衬底更易于处理。然而,在更⌒ 高的温度下,这些材料表现得更像液■体,随着熔体粘度的降低,机械稳定性也逐渐消失,材料软化,从而降低了键合层的稳定性。器件晶圆可能发生变形和分层,导致→下游工艺出现问题。
现在我们已经对先▂进封装目前所面临的一些挑战进行了高层次的研究,接下来,我们将更深入地探索其中的一些技术。第 II
部分将研々究chip-first和chip-last工艺程流之间的区别,以及为什么后者更受关注和欢迎。

芯片封装气泡问题
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