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                晶圆处理的流程详解

                [发布日期:2020-12-07 14:19:38] 点击:


                 

                  截断晶体从单晶炉ㄨ里出来之后,第一步就是截掉头尾。

                  直径滚磨在晶体生长过程中,整个晶体长度中是有偏差的,晶圆制造过程中有各种各样的晶圆固定器和自动设备◎,需要严格的直径控制以减少晶圆翘曲和破碎。直径滚磨是在一个无中心的滚磨机上进行的机械操@作。

                  晶体定向、电导率和电阻率检查要确保晶体是否达到定向和电阻率的规格要求。晶体定向是@ 由X射线衍射或者平行光衍射来确定的,晶体的一端被腐蚀或抛光来去除损伤层,再将晶体安放到衍射仪上,X涉嫌或≡平行光反射晶体表面到成像板上,从而可以看到晶体的晶向。晶棒黏放在一个切割块上来保证晶圆从晶体正确的晶向切割。由于晶体是经过掺杂的,一个重〇要的电学性能检查是导电类型(N型或者P型),以保证使用了正确的掺杂物。而进入晶体的掺杂物数量由电阻率测量来确定。

                  滚磨定向一旦晶』体在切割块上定好晶向,就沿着轴滚磨出一个参考面,这个参考面将会在每个晶圆上出现,称之为『主参考面。对于更大直径的晶圆,在晶体上磨出一个槽用来标识晶圆的晶向,有些︼情况下在晶体上磨出一个简单的凹槽来作为生产晶向的定位。

                  切片用有金刚石涂层的内圆刀片把晶圆从晶棒上切下来,这些刀片是中心有圆孔的薄圆钢片。对于大直径的晶圆使用线◢切割可以保证小锥度的平整表面和最少量的刀口损失。

                  磨片半导体晶圆的表面要规则没有切割损伤,并且要平整,平整度是小尺寸图片绝对必须的条件,先进的光刻→工艺把所需的图案投影到晶圆表面,如果表面不平整∏,将会发生◆扭曲。为了保证晶圆的平整↙度,一般分为磨片和化学机械抛光,磨片的主要目的是为∑了去除切片工艺残留的表面损伤。化学机械▲抛光是以碱性抛光液在晶圆表面形成一层薄㊣ 的二氧化硅,抛光垫以持续的机械摩擦来去除氧化物,这样晶↓圆表面的高点被除掉,直到获得特别平整的表面。

                  背面处理在许多情况下,晶圆的正↑面经过充分的化学机械抛光,而背面留下粗糙或者腐蚀到光亮的外观。对于某些器件的☉使用,背面可能会收到特殊的处理而导致缺陷,我们称之◥为背损伤,背损伤产生位错的∴生长辐射进入晶圆,这些位错现象属于陷阱,会俘获制造工艺⌒中引入的可移动金属离子污染,我们∩将俘获的过程叫吸杂。一般背∑ 面处理技术有背面喷沙,背面多晶层或氮化硅的沉淀等。

                  边缘倒角和抛光边缘倒角是使晶圆边缘圆滑的机械工艺,应用★化学抛光进一步加工边缘,尽可能减少制造中的边缘崩边和损伤,边缘崩边和损伤会导致碎ξ片或成为位错线ω 的核心。晶圆在Ψ包装之前,还需要进行最终的评估,然后进行表层氧化防止运输过程中的【损伤和污染,最后进行包装。

                真空压膜机

                  晶圆压膜

                  台湾ELT科技是全球先进制程设备制造商,其中硅片真空压膜机 晶圆级压膜机是8寸/12寸晶圆贴合专用设备,填充率高,无气泡,高深宽比,全自动调节温度压力,是晶片制程后期的高端设备。


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